Работа посвящена моделированию распределения интенсивности актиничного излучения по поверхности фоторезиста в процессе фотолитографии.

Одним из основополагающих процессов в современной технологии микроэлектроники является процесс оптической фотолитографии. Моделирование обусловлено проблемой предсказания качества получаемых структур, для формирования которых используется процесс фотолитографии и возможных видов брака возникающих при этом: искажения в передаче размеров топологических элементов (уход размеров), двойной край. Одной из решаемых задач моделирования является предсказание минимально возможных топологических размеров структур, получаемых в ходе данного процесса.

В работе рассматривается моделирование процесса оптической фотолитографии с учётом таких явлений как: дифракция и неизоэкстемальность распределения излучения. Модель позволяет рассмотреть только наиболее простой случай – щель или отверстие, сквозь которое распространяется излучение по поверхности фоторезиста. Исходными данными для процесса моделирования служат: длина волны излучения, зазор между фотошаблоном и слоем фоторезиста, размер топологического элемента. По этим данным рассчитывается волновой фактор, определяющий, какой случай дифракционного перераспределения будет сформирован: Френеля, Фраунгофера или переходный случай. Переходный и случай Френеля объединяются в один алгоритм моделирования и рассчитываются по единой схеме – с использованием полинома Чебышева. Случай Фраунгофера рассчитывается по иной, более простой схеме.

Примечание: дипломная работа защищена в 2000 году. Программа портирована в IDE Delphi XE2 в 2018-м.

Программа осуществляет моделирование процесса роста анодного оксида при воздействии проводящего зонда атомного силового микроскопа (АСМ).

На протяжении последних лет появилось большое количество работ, посвященных формированию топологии нанометровых размеров с помощью сканирующих зондовых микроскопов, в том числе известны методы локального травления, окисления и осаждения металлов и полупроводников с разрешением порядка 10 нм.

Настоящая работа посвящена моделированию и исследованию процесса анодного зондового окисления пленок Ti. Несмотря на интенсивные исследования данного процесса, пока не существует единого мнения о механизме роста оксида.

Предложенная математическая модель хорошо адаптируется к численному методу расчета процесса выращивания оксида.

Примечание: модель и программа созданы в 1999 году. Программа портирована в IDE Lazarus в 2015-м.